Развитие методов лазерного моделирования эффектов в полупроводниковых структурах электронной компонентной базы при предельных уровнях импульсного ионизирующего воздействия

Национальный исследовательский ядерный университет, Москва

134 стр.

Развитие методов лазерного моделирования эффектов в полупроводниковых структурах электронной компонентной базы при предельных уровнях импульсного ионизирующего воздействия — Егоров, Андрей Николаевич — 2015 — Российская библиотека диссертаций