Устройства резистивной энергонезависимой памяти на основе функциональных слоев оксида тантала, сформированных магнетронным осаждением

ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ФЭФМ.1.3.5.007, Долгопрудный

113 стр.

Ключевые слова

резистивная память энергонезависимая, ячейки на основе оксида тантала