Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств

шифр 2.2.2. • до 2022 года: 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»; 05.27.03 «Квантовая электроника»

1. Исследование схемотехнических основ и проектирование усилителя мощности класса Е для систем индуктивной передачи энергии

   Гуров, Константин Олегович · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
2. Исследование магнитного туннельного перехода и разработка его универсальной компактной модели для проектирования и изготовления наноразмерных гибридных спинтронно-электронных схем

   Лобкова, Мария Дмитриевна · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
3. Физико-технологические решения создания межсоединений металлизации высокотемпературных кремниевых ИС на основе сплавов вольфрама

   Тимаков, Алексей Валерьевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
4. Определение стойкости микропроцессорных систем к недокументированному доступу по каналу энергопотребления

   Кондрашов, Кирилл Константинович · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет Д 212.238.XX (24.2.387.08)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
5. Конструктивно-технологические основы создания актюаторов для МЭМС-переключателей и микрофлюидных систем

   Уваров, Илья Владимирович · 2024 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
6. Исследование и разработка монолитных интегральных схем СВЧ фазовращателей для приемо-передающего тракта систем АФАР

   Котляров, Евгений Юрьевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
7. Исследование критической температуры сверхпроводящего перехода тонких пленок алюминия

   Седов, Егор Андреевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
8. Интеграция кристаллов полупроводниковых СВЧ приборов с применением метода перевернутого монтажа на основе тонкоплёночной системы металлов Au-Sn

   Ефимов, Александр Сергеевич · 2024 · Канд. наук · АО «Научно-производственное предприятие «Исток» имени А. И. Шокина» ; Диссовет 74.1.008.01 (Д 409.001.01)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
9. Исследование неровностей краёв при формировании изображения в процессе литографии для микро-, наноэлектроники и фотоники

   Шарапов, Андрей Анатольевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ФЭФМ.2.2.2.007

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
10. Исследование влияния низких температур на электризуемость полимерных диэлектриков космических аппаратов

    Муллахметов, Ильшат Рамилович · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
11. Определение квантовой эффективности фотогенерации носителей заряда в пленках новых полимерных композитов методом электрографического разряда

    Астафьев, Антон Викторович · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
12. Интеграция кристаллов полупроводниковых СВЧ приборов с применением метода перевернутого монтажа на основе тонкоплёночной системы металлов Au-Sn

    Ефимов, Александр Сергеевич · 2024 · Канд. наук · АО «Научно-производственное предприятие «Исток» имени А. И. Шокина» ; Диссовет 74.1.008.01 (Д 409.001.01)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
13. ТГц антенные решётки с использованием планарных диодов с барьером Шоттки

    Приходько, Анатолий Николаевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
14. Исследование сверхпроводящего диодного эффекта в гибридных структурах сверхпроводник/топологический изолятор

    Карабасов, Тайржан · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
15. Оптимизация в задачах моделирования, связанных с формированием фотолитографического изображения

    Шамин, Евгений Сергеевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ФЭФМ.2.2.2.009

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
16. Исследование энергетической релаксации в неупорядоченных металлических плёнках

    Ломакин, Андрей Игоревич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
17. Разработка конструктивно-технологических методов создания КНИ МОП- и биполярных элементов ИС с улучшенными параметрами

    Шоболова, Тамара Александровна · 2024 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет» ; Диссовет 24.2.286.01 (Д 212.037.06)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
18. Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов

    Чуканова, Ольга Борисовна · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
19. Методы и средства создания SPICE-моделей активных компонентов ИС с учетом воздействия температуры, радиации и эффектов старения

    Харитонов, Игорь Анатольевич · 2024 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
20. Моделирование и исследование характеристик кремниевых чувствительных элементов микромеханических акселерометров

    Йе Ко Ко Аунг · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств