Физика полупроводников

1. Метаморфные гетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона 2.0-4.5 мкм

   Чернов, Михаил Юрьевич · 2021 · Канд. наук · ФГБУН "Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе" Российской академии наук

   • 01.04.10 Физика полупроводников
2. Особенности микроструктуры и термоэлектрических свойств нетекстурированных и текстурированных соединений на основе теллурида висмута

   Васильев, Алексей Евгеньевич · 2020 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Юго-Западный государственный университет»

   • 01.04.10 Физика полупроводников
3. Поверхностные оптические состояния в слоистых средах

   Голеницкий, Кирилл Юрьевич · 2020 · Канд. наук · ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

   • 01.04.10 Физика полупроводников
4. Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов и создание композитных материалов с использованием коллоидных наночастиц металлов

   Илькив, Игорь Владимирович · 2020 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 01.04.10 Физика полупроводников
5. Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP

   Лазаренко, Александра Анатольевна · 2020 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 01.04.10 Физика полупроводников
6. Примесная люминесценция терагерцового диапазона в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

   Махов, Иван Сергеевич · 2020 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 01.04.10 Физика полупроводников
7. Ядерный квадрупольный резонанс и электронные свойства полупроводникового соединения CuAlO2

   Шмидт, Станислав Владимирович · 2020 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Казанский государственный энергетический университет»

   • 01.04.10 Физика полупроводников
8. Создание и исследование сенсора водорода на основе диодной структуры Pd/Оксид/InP

   Шутаев, Вадим Аркадьевич · 2020 · Канд. наук · ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

   • 01.04.10 Физика полупроводников
9. Емкостная спектроскопия дефектов в гетероструктурах для многопереходных солнечных элементов со слоями разбавленных нитридов AIIIBV-N

   Баранов, Артем Игоревич · 2019 · Канд. наук · Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)

   • 01.04.10 Физика полупроводников
10. Исследование туннельных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами методами спектроскопии адмиттанса

    Иванова, Яна Владимировна · 2019 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
11. Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа

    Шевлягин, Александр Владимирович · 2019 · Канд. наук · Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук

    • 01.04.10 Физика полупроводников
12. Влияние фемтосекундного лазерного облучения и термического отжига на структурные, оптические и электрофизические свойства кремниевых наносистем

    Шулейко, Дмитрий Валерьевич · 2019 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
13. Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур МоО3 и MoS2

    Аль, Хайлани Хассан Исмаил Дамбос · 2019 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
14. Свойства плазменных возбуждений в двумерных электронных системах

    Заболотных, Андрей Александрович · 2018 · Канд. наук · Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук

    • 01.04.10 Физика полупроводников
15. Синтез, структура и электрофизические свойства пленочных материалов на основе селенида свинца

    Разина, Алиса Геннадьевна · 2018 · Канд. наук · Казанский государственный энергетический университет

    • 01.04.10 Физика полупроводников
16. Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений

    Бантыш, Борис Игоревич · 2018 · Канд. наук · Московский институт электронной техники

    • 01.04.10 Физика полупроводников
17. Термоэлектрические свойства и дефекты структуры кристаллов узкозонных полупроводников Pb1-xGdxTe, Pb1-xGdxS, Pb1-xCrxS1-y, Pb1-xAgxS и Pb1-xCuxS

    Синицин, Алексей Михайлович · 2018 · Канд. наук · Казанский государственный энергетический университет

    • 01.04.10 Физика полупроводников
18. Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием

    Яковлев, Георгий Евгеньевич · 2018 · Канд. наук · Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)

    • 01.04.10 Физика полупроводников
19. Разработка и исследование магнитооптических и трехосевых холловских датчиков

    Чесницкий, Антон Васильевич · 2018 · Канд. наук · Новосибирский государственный технический университет

    • 01.04.10 Физика полупроводников
    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
20. Формирование и модификация кремниевых светоизлучающих квантово-размерных наноструктур радиационными методами

    Черкова, Светлана Глебовна · 2018 · Канд. наук · Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

    • 01.04.10 Физика полупроводников