Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники

шифр 2.2.3. • до 2022 года: 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»

1. Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксии

   Залевский, Игорь Дмитриевич · 1999 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
2. Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников

   Железный, Сергей Владимирович · 1999 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
3. Синтез и исследование стеклокристаллических композиционных материалов для изделий электронной техники

   Часовникова, Елена Владимировна · 1998 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
4. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня

   Чуканов, Сергей Владимирович · 1998 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
5. Влияние третьего компонента на распределение дефектов и примесей в бездислокационных монокристаллах кремния для интегральных схем

   Макеев, Марат Хасанович · 1998 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
6. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в системе кремний-германий

   Кукоз, Виктор Федорович · 1998 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
7. Разработка и внедрение полупроводниковых материалов со специальными свойствами для приборов электронной техники и промышленной технологии их производства

   Фурманов, Геннадий Петрович · 1998 · Докт. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
8. Микроструктурная неоднородность и термическая стабильность пленок a-Si : H и сплавов на его основе

   Сазонов, Андрей Юрьевич · 1997 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
9. Разработка и исследование материалов и технологии многослойных металлодиэлектрических структур методом диффузионной сварки

   Чиликина, Марина Валерьевна · 1997 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
10. Исследование причин дефектообразования в процессе производства пластин кремния

    Раченкова, Анна Витальевна · 1997 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
11. Формирование и исследование свойств тонких пленок вольфрама, полученных при импульсной конденсации электроэрозионной плазмы

    Рощин, Владимир Михайлович · 1997 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
12. Закономерности пиролиза аммиакатов хлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN

    Красовицкий, Дмитрий Михайлович · 1997 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
13. Разработка физико-химических основ получения многокомпонентных твердых растворов на основе InAs в поле температурного градиента

    Шевченко, Андрей Геннадьевич · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
14. Экспериментальные исследования и численное моделирование газодинамических течений в процессах газофазной эпитаксии кремния

    Турилин, Сергей Митрофанович · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
15. Твердоэлектролитный сенсор галогенсодержащих веществ с чувствительным слоем молибдата калия-бария-гадолиния и активированным электродом

    Лебедева, Татьяна Анатольевна · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
16. Толстые пленки YBa2 Cu3 O7- δ на подложке Y2 Ba Cu O5 : Получение, свойства, применение

    Распопина, Екатерина Владиславовна · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
17. Разработка и исследование технологии изготовления структур "кремний на изоляторе" с применением избирательного химического травления кремния

    Семенов, Олег Юрьевич · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
18. Исследование условий и разработка технологии получения эпитаксиальных структур антимонида индия для многоэлементных фотоприемников

    Армягова, Оксана Павловна · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
19. Фазовые равновесия в системе Ва-Сu-О

    Скоробогатова, Ольга Викторовна · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
20. Исследование и разработка технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактных систем кремниевых ИС

    Громов, Дмитрий Геннадьевич · 1996 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники